محمد گوهرخواه؛ بهزاد علیزاده
دوره 13، شماره 4 ، دی 1399، ، صفحه 59-69
چکیده
در این مطالعه عددی، تاثیر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی آزاد سیال مغناطیسی داخل یک محفظه، در شرایط میکروجاذبه، مورد بررسی قرار گرفته است. دو حالت، قرارگیری یک منبع میدان مغناطیسی زیر محفظه و دو منبع میدان در بالا و پایین محفظه بطور مجزا در نظر گرفته شده و شبیه-سازیها برای شدت میدانها و فواصل مختلف منبع های میدان از محفظه ...
بیشتر
در این مطالعه عددی، تاثیر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی آزاد سیال مغناطیسی داخل یک محفظه، در شرایط میکروجاذبه، مورد بررسی قرار گرفته است. دو حالت، قرارگیری یک منبع میدان مغناطیسی زیر محفظه و دو منبع میدان در بالا و پایین محفظه بطور مجزا در نظر گرفته شده و شبیه-سازیها برای شدت میدانها و فواصل مختلف منبع های میدان از محفظه انجام شده است. نتایج نشان میدهد به علت عدم تشکیل گردابه جریان در شرایط میکروجاذبه نرخ انتقال حرارت بسیار کمتر از حالت طبیعی است. با اعمال میدان مغناطیسی، گردابه القایی توسط نیروی حجمی، انتقال حرارت جابجایی در شرایط میکروجاذبه را افزایش میدهد. محاسبات نشان میدهد در حالت تک منبع، نرخ انتقال حرارت در حالت میکروجاذبه را تا 6.5 برابر میتوان افزایش داد. همچنین قرار دادن دو منبع میدان مغناطیسی سبب افزایش قدرت گردابه داخل محفظه شده و در نتیجه موجب افزایش 19.7 برابری انتقال حرارت نسبت به حالت تک منبع میشود.
محمد گوهرخواه؛ مصطفی اسماعیلی؛ مهدی اشجعی
دوره 11، شماره 2 ، شهریور 1397، ، صفحه 11-19
چکیده
در مقاله حاضر، تأثیر یک منبع میدان خارجی غیریکنواخت بر انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال مگنتیت (فروسیال) داخل کانالی با سطح گرم، بهصورت عددی مورد مطالعه قرار گرفته است. هدف اصلی تأکید بر اهمیت موقعیت میدان مغناطیسی و بررسی احتمال افزایش انتقال حرارت از طریق یافتن مکان بهینه منبع میدان مغناطیسی است. مشاهده شد که میدان مغناطیسی ...
بیشتر
در مقاله حاضر، تأثیر یک منبع میدان خارجی غیریکنواخت بر انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال مگنتیت (فروسیال) داخل کانالی با سطح گرم، بهصورت عددی مورد مطالعه قرار گرفته است. هدف اصلی تأکید بر اهمیت موقعیت میدان مغناطیسی و بررسی احتمال افزایش انتقال حرارت از طریق یافتن مکان بهینه منبع میدان مغناطیسی است. مشاهده شد که میدان مغناطیسی گردابههایی ایجاد کرده و بر ضخامت لایه مرزی حرارتی و تغییرات عدد ناسلت تاثیر میگذارد. نتایج نشان می دهد تاثیر موقعیت میدان مغناطیسی وابسته به نوع شرط مرزی حرارتی است. همچنین نشان داده شده است که میتوان میدان دما و جریان سیال را با چند منبع میدان مغناطیسی کنترل نمود. با استفاده از الگوریتم ژنتیک، چیدمانی بهینه برای هشت منبع میدان مغناطیسی بدست آمده است که در مقایسه با حالت بدون میدان، منجر به 27% افزایش انتقال حرارت میگردد.