%0 Journal Article %T بررسی آزمون و ارزیابی مقاومت تشعشعی TID ترانزیستورهای GaN در برد تقویت‌کننده SSPA جهت بکارگیری در محموله ماهواره LEO %J علوم و فناوری فضایی %I انجمن هوافضای ایران- پژوهشگاه هوافضا %Z 2008-4560 %A کریم زاده بائی, رقیه %A دانشور, حمیده %A احمدی, امیرحسین %A سجودی, پروین %D 2023 %\ 03/21/2023 %V 16 %N 1 %P 59-74 %! بررسی آزمون و ارزیابی مقاومت تشعشعی TID ترانزیستورهای GaN در برد تقویت‌کننده SSPA جهت بکارگیری در محموله ماهواره LEO %K مقاومت تشعشعی %K تشعشعات فضایی %K ترانزیستورهای GaN %K تقویت‌کننده SSPA %K ماهواره LEO %R 10.30699/jsst.2023.1400 %X با ظهور فناوری GaN، دست‌یابی به توان مایکروویو با استفاده از ادوات حالت جامد و با بازدهی بالا، بیش از پیش میسر شده است. لذا استفاده از تقویت‌کننده‌های SSPA با فناوری GaN در ماهواره‌ها به خصوص ماهواره‌های LEO، مورد توجه قرار گرفته است. از طرفی، تشعشعات فضایی می‌تواند بر عملکرد و قابلیت اطمینان قطعات موجود در سامانه‌های فضایی تاثیرگذار باشد که لازم است مورد بررسی قرار گیرد. به منظور صحه‌گذاری بر امکان استفاده از ترانزیستورهای GaN در ماهواره‌های LEO لازم است اثرات تابشی بر روی این تزانزیستورها بررسی شود. در این مقاله به بررسی اثر TID بر ترانزیستورهای GaN در برد تقویت‌کننده SSPA به همراه برد توالی‌ساز آن، پرداخته شده است. از آنجائیکه در نمونه مهندسی تقویت‌کننده SSPA از قطعات تجاری استفاده شده است و محاسبات حاصل از تخمین‌های RDM تحت بدترین شرایط نشان می‌دهد که انجام آزمون برای این قطعات الزامی است، آزمون بررسی مقاومت تشعشعی برای این تقویت-کننده انجام شد. نتایج آزمون نشان می‌دهد که برد SSPA GaN تا دُز تقریباً krad 16 دارای قابلیت تحمل تشعشعی است. بنابراین ترانزیستورهای تطبیق نیافته GaN، تا این مقدار از دُز، مقاوم هستند. این درحالی است که برد توالی‌ساز عملاً دارای قدرت تحمل کمتر از krad 5/5 می‌باشد. %U https://jsst.ias.ir/article_166375_99e04760aaa3b441e0b0d60b80e9f89b.pdf