TY - JOUR ID - 75179 TI - شبیه‌سازی عددی و بهینه سازی انتقال حرارت نانوساختار مغناطیسی در یک کانال در حضور یک میدان مغناطیسی غیریکنواخت JO - علوم و فناوری فضایی JA - JSST LA - fa SN - 2008-4560 AU - گوهرخواه, محمد AU - اسماعیلی, مصطفی AU - اشجعی, مهدی AD - دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه صنعتی سهند، تبریز، ایران AD - دانشکده مکانیک، دانشکده فنی، دانشگاه خوارزمی، تهران، ایران AD - دانشکده مکانیک، دانشگاه تهران، تهران، ایران Y1 - 2018 PY - 2018 VL - 11 IS - 2 SP - 11 EP - 19 KW - انتقال حرارت KW - جابجایی اجباری KW - فروسیال KW - مینی کانال KW - میدان مغناطیسی KW - بهینه‌سازی KW - الگوریتم ژنتیک DO - N2 - در مقاله حاضر، تأثیر یک منبع میدان خارجی غیریکنواخت بر انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال مگنتیت (فروسیال) داخل کانالی با سطح گرم، به‌صورت عددی مورد مطالعه قرار گرفته است. هدف اصلی تأکید بر اهمیت موقعیت میدان مغناطیسی و بررسی احتمال افزایش انتقال حرارت از طریق یافتن مکان بهینه منبع میدان مغناطیسی است. مشاهده شد که میدان مغناطیسی گردابه‌هایی ایجاد کرده و بر ضخامت لایه مرزی حرارتی و تغییرات عدد ناسلت تاثیر می­گذارد. نتایج نشان می دهد تاثیر موقعیت میدان مغناطیسی وابسته به نوع شرط مرزی حرارتی است. همچنین نشان داده شده است که می­توان میدان دما و جریان سیال را با چند منبع میدان مغناطیسی کنترل نمود. با استفاده از الگوریتم ژنتیک، چیدمانی بهینه برای هشت منبع میدان مغناطیسی بدست آمده است که در مقایسه با حالت بدون میدان، منجر به 27% افزایش انتقال حرارت می­گردد. UR - https://jsst.ias.ir/article_75179.html L1 - https://jsst.ias.ir/article_75179_951b5b615cd1973a53204697d967358c.pdf ER -