محمد گوهرخواه؛ بهزاد علیزاده
دوره 13، شماره 4 ، دی 1399، ، صفحه 59-69
چکیده
در این مطالعه عددی، تاثیر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی آزاد سیال مغناطیسی داخل یک محفظه، در شرایط میکروجاذبه، مورد بررسی قرار گرفته است. دو حالت، قرارگیری یک منبع میدان مغناطیسی زیر محفظه و دو منبع میدان در بالا و پایین محفظه بطور مجزا در نظر گرفته شده و شبیه-سازیها برای شدت میدانها و فواصل مختلف منبع های میدان از محفظه ...
بیشتر
در این مطالعه عددی، تاثیر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی آزاد سیال مغناطیسی داخل یک محفظه، در شرایط میکروجاذبه، مورد بررسی قرار گرفته است. دو حالت، قرارگیری یک منبع میدان مغناطیسی زیر محفظه و دو منبع میدان در بالا و پایین محفظه بطور مجزا در نظر گرفته شده و شبیه-سازیها برای شدت میدانها و فواصل مختلف منبع های میدان از محفظه انجام شده است. نتایج نشان میدهد به علت عدم تشکیل گردابه جریان در شرایط میکروجاذبه نرخ انتقال حرارت بسیار کمتر از حالت طبیعی است. با اعمال میدان مغناطیسی، گردابه القایی توسط نیروی حجمی، انتقال حرارت جابجایی در شرایط میکروجاذبه را افزایش میدهد. محاسبات نشان میدهد در حالت تک منبع، نرخ انتقال حرارت در حالت میکروجاذبه را تا 6.5 برابر میتوان افزایش داد. همچنین قرار دادن دو منبع میدان مغناطیسی سبب افزایش قدرت گردابه داخل محفظه شده و در نتیجه موجب افزایش 19.7 برابری انتقال حرارت نسبت به حالت تک منبع میشود.